パワー・マネジメント（電源管理）技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・
ジャパン（IRジャパン）株式会社（本社：東京都豊島区）は25日、TSOP-6（6ピンTSOP）パッケージに収めた
IR社の最新の低耐圧HEXFET® パワーMOSFETシリーズ4品種を製品化し、デバイスの広範なポートフォリオを拡
大しました。今回の製品は、負荷のスイッチ、バッテリ保護のための充放電スイッチ、インバータ・スイッ
チなどの低消費電力用途に最適です。
この新しいパワーMOSFETは、導通損失を著しく削減するための非常に低いオン抵抗（内部抵抗）が特徴で
す。耐圧は20Vまたは30Vで、nチャネルまたはpチャネルの製品があります。最大ゲート駆動電圧（ゲート-
ソース間電圧）が12Vの製品と20Vの製品を用意しました。
TSOP-6パッケージを採用したパワーMOSFETのIR社の新しいポートフォリオは、SOT-23やSO-8（8ピンSOP）
のパッケージに搭載した既存のデバイスを補う製品で、システムを設計するときに、より柔軟性の高い設計
を可能にします。このプラットフォームの低いオン抵抗によって、これらのデバイスは、回路基板スペース
やシステム・コストを削減するために、より大きなパッケージのMOSFETを置き換えることができます。
今回のデバイスの耐湿性レベルは、すべてMSL1です。鉛、臭素 、ハロゲンを含まず、欧州の規制RoHS
（特定物質の使用規制）に準拠しています。IR社のホームページ（www.irf.com）からデータシートを入手
でき、MOSFETのセレクション・ツールも利用できます。
IRFTS9342TRPbFの1000個購入時の単価は、0.119米ドルからの予定です（米国での参考価格）。データ
シートは型番をクリックするとご覧いただけます。
表 TSOP-6パッケージ採用のHEXFET®パワーMOSFETシリーズ4品種の概要
型番
（-TRPbF） |
耐圧 |
ゲート-ソース間
電圧の最大値 |
最大
ドレイン電流 |
オン抵抗（標準値／最大値） |
ゲート-ソース間
電圧10Vのとき |
ゲート-ソース間
電圧4.5Vのとき |
ゲート-ソース間
電圧2.5Vのとき |
|
IRFTS9342 |
-30V |
20V |
-5.8A |
32mΩ／40mΩ |
53mΩ／66mΩ |
N/A |
|
IRLTS2242 |
-20V |
12V |
-6.9A |
N/A |
26mΩ／32mΩ |
45mΩ／55mΩ |
|
IRLTS6342 |
30V |
12V |
8.3A |
N/A |
14mΩ／17.5mΩ |
17.5mΩ／22mΩ |
|
IRFTS8342 |
30V |
20V |
8.2A |
15mΩ／19mΩ |
22mΩ／29mΩ |
N/A |
注）最大ドレイン電流は周囲温度25℃のときの値。IRFTS9342とIRLTS2242はpチャネルMOSFET、他の2品種
はnチャネルMOSFET。
＜インターナショナル・レクティファイアー（IR®）社について＞
IR社はパワー・マネジメント（電源管理）技術のリーダーです。IR社のアナログIC、アナログ/デジタル
混在IC、最先端デバイス、電源のシステムや部品は、コンピュータの性能向上や、世界で最も電力消費
の大きいモーターの省エネに貢献しています。コンピュータ、省エネ家電、照明器具、自動車、衛星・
航空・防衛システムなどの主な製造企業は、次期製品の性能向上のためにIR社のパワー・マネジメント
・ソリューションに頼っています。本社は米国のカリフォルニア州エルセグンド。
＜商標に関する注意＞
IR®、HEXFET®はInternational Rectifier Corporationの登録商標です。
当資料に記載されるその他の製品名の商標はそれぞれの所有者に帰属します。
＜本件に関するお問い合わせ先＞
インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン株式会社
〒170-6051
東京都豊島区東池袋3-1-1、サンシャイン60 51F
マーケティング・コミュニケーションズ
小阪田 美穂
TEL：03-3983-0837 FAX：03-3983-4856 e-mail：mosakad1@irf.com
＜営業部連絡先＞
TEL：03-3983-0086 FAX：03-3983-0642
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