2010年7月28日
                              インターナショナル・レクティファイアー
                        耐圧−30V〜100VのパワーMOSFETシリーズを8品種発売                  
                    〜 業界標準パッケージSOT-23を採用、スイッチング用途向け 〜
 パワー・マネジメント(電源管理)技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・
ジャパン(IRジャパン)株式会社(本社:東京都豊島区)は28日、業界標準パッケージのSOT-23に搭載した
耐圧−30V〜100VのHEXFETRパワーMOSFETシリーズ8品種を発売しました。充電池の充放電スイッチや負荷の
スイッチ、軽負荷のモーター駆動、通信機器などの用途に適しています。

 IR社の最新半導体技術を使ったSOT-23封止のMOSFETシリーズは、オン抵抗(内部抵抗)を低く抑えたので、
扱える電流が大きくなっています。所望の用途で費用対効果を最大化することに貢献します。さらに、オン
抵抗やゲート電荷が異なるさまざまな製品を耐圧−30V〜100V(耐圧がマイナスの製品はpチャネルMOSFET、
プラスの製品はnチャネルMOSFET)の範囲でそろえているので、小型化、高効率化、優れた費用対効果を実
現するためのソリューションを構成できます。耐湿性レベルはMSL1。鉛フリーで欧州の規制RoHS(特定物質
の使用規制)に準拠しています。
 1万個購入時の単価は、IRLML0060TRPbFの0.10米ドルからの予定です(米国での参考価格)。データシート
は型番をクリックするとご覧いただけます。

表 SOT-23封止のパワーMOSFET8品種の概要
 型番 耐圧 最大ドレイン
電流*1
オン抵抗
(ゲート-ソース間電圧10Vのときの標準値/最大値)
オン抵抗
(ゲート-ソース間電圧4.5Vのときの標準値/最大値)
ゲート電荷
(標準値)
IRLML9301TRPbF
−30V
−3.6A
51mΩ/64mΩ*2
82mΩ/103mΩ*3
4.8nC
IRLML9303TRPbF
−30V
−2.3A
135mΩ/165mΩ*2
220mΩ/270mΩ*3
2.0nC
IRLML0030TRPbF
30V
5.2A
22mΩ/27mΩ
33mΩ/40mΩ
2.6nC
IRLML2030TRPbF
30V
2.7A
80mΩ/100mΩ
123mΩ/154mΩ
1.0nC
IRLML0040TRPbF
40V
3.6A
44mΩ/56mΩ
62mΩ/78mΩ
2.6nC
IRLML0060TRPbF
60V
2.7A
78mΩ/92mΩ
98mΩ/116mΩ
2.5nC
IRLML2060TRPbF
60V
1.2A
356mΩ/460mΩ
475mΩ/620mΩ
0.4nC
IRLML0100TRPbF
100V
1.6A
178mΩ/220mΩ
190mΩ/235mΩ
2.5nC
*1 周囲温度25℃のときの値。
*2 ゲート-ソース間電圧−10Vのときの値。
*3 ゲート-ソース間電圧−4.5Vのときの値。

    
<インターナショナル・レクティファイアー(IR®)社について>
 IR社はパワー・マネジメント(電源管理)技術のリーダーです。IR社のアナログIC、アナログ/デジタル
混在IC、最先端デバイス、電源回路やモーター制御回路の部品やシステムは、コンピュータ、インバータ・
モーター搭載の白物家電製品、照明器具、車載用電子機器、宇宙航空用電子機器など幅広い分野において、
機器の小型化、省エネ化、高機能化に貢献しています。本社は米国カリフォルニア州エルセグンド。

注:IR®、HEXFET®はInternational Rectifier Corporationの登録商標です。
  当資料に記載されるその他の製品名の商標はそれぞれの所有者に帰属します。


<本件に関するお問い合わせ先>
インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン株式会社
〒170-6051
東京都豊島区東池袋3-1-1、サンシャイン60 51F
マーケティング・コミュニケーションズ
本田 真由美
TEL:03-3983-0837 FAX:03-3983-4856  e-mail:mhonda1@irf.com

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