2008年5月13日
                         インターナショナル・レクティファイアー
                          耐圧60V/75V/100V のパワーMOSFETを発売                        
                       〜 産業用のスイッチング電源や無停電電源向け 〜
 パワー・マネジメント(電源管理)技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・
ジャパン(IRジャパン)株式会社(本社:東京都豊島区)は13日、産業用のスイッチング電源(SMPS)や
無停電電源(UPS)などに向けた耐圧60V/75V/100VのパワーMOSFETを6品種発売しました。
 
  


 6品種ともnチャネルMOSFETで、オン抵抗が低く、スイッチング特性が優れています。例えば、耐圧60Vの
IRFP3206のオン抵抗は最大値で3mΩ、ゲート電荷は標準値で120nCです。スイッチング特性を向上するため
にゲート電荷を標準85nCに低くしたIRFP3306のオン抵抗は最大4.2mΩとなっています。パッケージは6品種
とも、標準的なTO-220に比べて放熱特性が良いTO-247です。
 1000個購入時の単価は、最も安価なIRFP3306PbFとIRFP4410ZPbfの1.04米ドルからとなっています(米国
での参考価格)。欧州の規制RoHS(特定物質の使用規制)に準拠しています。データシートは型番をクリッ
クするとご覧いただけます。
 
	
表 パワーMOSFETの新製品6品種の概要
型番 耐圧 オン抵抗
(最大値)
ドレイン電流 (最大値)
ゲート電荷
(標準値)
IRFP3206PbF 60V 3.0mΩ 200A 120nC
IRFP3306PbF 60V 4.2mΩ 160A 85nC
IRFP3077PbF 75V 3.3mΩ 200A 160nC
IRFP4110PbF 100V 4.5mΩ 180A 150nC
IRFP4310ZPbF 100V 6.0mΩ 134A 120nC
IRFP4410ZPbF 100V 9.0mΩ 97A 83nC
注) パッケージは6品種ともTO-247。オン抵抗はゲート−ソース間電圧10Vのときの 最大値。ドレイン電流は最大接合部温度から計算した半導体チップの最大値。 ボンディング・ワイヤーの最大電流は120A。 <インターナショナル・レクティファイアー(IR®)社について>  IR社はパワー・マネジメント(電源管理)技術のリーダーです。IR社のアナログIC、アナログ/デジタル 混在IC、最先端デバイス、電源回路やモーター制御回路の部品やシステムは、コンピュータ、インバータ・ モーター搭載の白物家電製品、照明器具、車載用電子機器、宇宙航空用電子機器など幅広い分野において、 機器の小型化、省エネ化、高機能化に貢献しています。本社は米国カリフォルニア州エルセグンド。   注:IR® は、International Rectifier Corporationの登録商標です。 当資料に記載されるその他の製品名の商標はそれぞれの所有者に帰属します。 <本件に関するお問い合わせ先> インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン株式会社 〒170-6051 東京都豊島区東池袋3-1-1、サンシャイン60 51F マーケティング・コミュニケーションズ 吉沢 寿康、本田 真由美 TEL:03-3983-0837 FAX:03-3983-4856 e-mail:hyoshi1@irf.com <営業部連絡先> TEL:03-3983-0086 FAX:03-3983-0642