【AC induction motor】
エー・シー・インダクション・モーター
交流誘導モーター。時間とともに交互にプラス、マイナスの電圧になる交流を利用してモーターのコイルに 電流を流し、誘導の力によって回転子を回転させるのが交流誘導（インダクション・モーター）。 直流を利用するときは、ブラシ（整流子）によって電圧を交互に作る。これをブラシ・モーターと呼ぶ。 これに対し、センサーにホール素子を使って回転子の位置検出を行い、回転子を回転させるモーターをブラスレス・モーター、 またホール素子を使わずに誘導電圧（電流）から位置情報を得るものをセンサレス・モーターと呼ぶ。

【ACPI（Advanced Configuration and Power Interface）】
エー・シー・ピー・アイ
パソコンの電力を管理してエネルギー消費量を減らすためのインターフェース仕様。

【avalanche energy】
アバランシェ・エネルギー
単発パルスのアバランシェ・エネルギー（EAS）は、1回であれば流すことのできるアバランシェ電流IARと の時間積で表される。アバランシェ電流は、降伏状態が短時間であれば流すことのできる電流の最大値。 単位は、エネルギーの単位であるJ（ジュール）。繰り返しアバランシェ・エネルギー（EAR）は、 繰り返し流すことのできるアバランシェ電流IARとの時間積。EARとEASの総称をアバランシェ耐量と呼ぶ。

【alternator】
オルタネータ
自動車で必要な電力を発電する交流発電機。エンジンからベルトを介して駆動され ます。この電力を自動車の各電子装置に供給し、余った電力はバッテリに蓄えます。

【brick size】
ブリック・サイズ
通信業界で標準となっている筐体（きょうたい）やプリント基板の大きさ。フルブ リック・サイズ（約116mm×60mm×12.7mm）を基準に、体積を1/2にしたハーフブリッ ク・サイズ、1/4にしたクォーターブリック・サイズ、1/8にした1/8ブリッ ク・サイズなどがある。

【bounce】
バウンス
接点バウンス。スイッチで、オン/オフのサイクルが数回繰り返されて最終状態に収束すること。

【CAN（controller area network）】
キャン
自動車内LANの国際標準のシリアル通信プロトコル。産業機器などでも採用されている。

【CEO(chief executive officer)】
シー・イー・オー
最高経営責任者。

【CFO(chief financial officer)】
シー・エフ・オー
最高財務責任者。

【CMOS(complementary metal oxide semiconductor)】
シーモス
相補型金属酸化膜半導体。nチャネルMOSFETとpチャネルMOSFETを組み合わせたもの。

【common-rail injector】
コモンレール・インジェクタ
高圧燃料を筒状のコモンレール（蓄圧器）に蓄えて、コンピュータ制御でこの高圧燃料をコモンレール からシリンダに噴射するシステム。ディーゼル車の排ガス対策技術として注目されている。

【DC-DC converter】
ディーシー・ディーシー・コンバータ
直流電圧を直流電圧に変換する回路。パソコンやインターネット機器などの内部で基準 とする電圧の12Vを、論理ICやマイクロプロセッサ（MPU）などのICを動作させるための さまざまな電源電圧、例えば5V、3.3V、1.7V、1.2Vなどの電圧に変換する回路。
DC-DCコンバータの出力回路は一般的に、制御（コントロール）用のMOSFETと同期整流 （シンクロナス）用のMOSFETを組み合わせて構成する。制御用MOSFETには、スイッチン グ速度を速くするためにゲート電荷を小さくすることが要求される。一方、同期整流用 MOSFETには、導通時のMOSFET自体の内部抵抗（オン抵抗）が小さいことが要求される。 トランジスタ素子（デバイス）を製造する上でオン抵抗とゲート電荷は相反関係にあるた め、制御用か同期整流用かといった用途に合わせて最適化しなければならない。

【Class D amplifier】
クラス・ディー・アンプ
D級アンプ。デジタル・アンプとも呼ぶ。アナログ・オーディオ信号をデジタル・パルス信号、すなわちPWM(パルス幅変調)信号に変換して伝送し、 これを低域通過フィルタに通してアナログ・オーディオ信号を復元する方式。回路をIC化しやすいので、機器を小型・軽量化できる。D級は出力回路の形式で、 このほか、アナログ・アンプではA級、B級、AB級などがある。

【Class K】
クラス・ケー
宇宙・航空用など高い信頼性が要求される用途で使用する電子部品に関する米軍の基準（MIL-PRF-38534）。

【DDR型DRAM（double data rate-random access memory）】
ディー・ディー・アール・ディーラム
クロック周波数の２倍の速度でデータを転送できる DRAM（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー）。

【dead time】
デッドタイム
ハイサイドのスイッチング素子（MOSFETやIGBT）とローサイドMOSFETを同時にオフする期間のことです。ハイサイドMOSFETとローサイドMOSFETが同時にオンすると貫通（シュートスルー）電流が流れてMOFETが破損することがあるので、これを防止するために同時にオフする期間を作ります。

【de-rating】
ディレーティング
定格低減。データシートで示された最大定格に対して、それよりも低い値を設定して余裕を持って設計し、 故障の可能性を減らすこと。

【duty ratio】
デューティ比
ハイ・レベルとロー・レベルが繰り返すクロックにおいて、１周期の間のハイ・レベルの期間の比率（％）。

【electronic power conditioner】
エレクトロニック・パワー・コンディショナー
入力電流レベルを外部へ信号送信する テレメトリ回路や各出力間のオン／オフのタイミングに時間差を設ける出力シーケンス 回路などの機能をDC/DCＣコンバータに付加した機器。

【EMI(electro-magnetic interference)】
イー・エム・アイ
電磁波妨害。

【ESD(electrostatic discharge)】
イー・エス・ディー
静電放電。静電気によるESDで破壊されるときの電圧を静電耐量と呼ぶ。

【ESR(equivalent series resistance)】
イー・エス・アール
等価直列抵抗。コンデンサに交流信号を印加したときの損失抵抗分のこと。 一般に、ESRの値はセラミック・コンデンサの方がタンタル・コンデンサよりも低い。

【EV(electric vehicle)】
エレクトリック・ビークル
電気自動車のこと。電気自動車は、電池（充電池）で走行する自動車。環境問題対応としてこのほかに注目さ れている自動車にはハイブリッド車と燃料電池車がある。ハイブリッド車は、ガソリン・エンジンとモーター を組み合わせて走行する自動車。燃料電池車は、水素燃料などを利用した燃料電池で発電しながら走行する自 動車。

【forward converter】
フォワード・コンバータ
絶縁型DC-DCコンバータ。トランスなどの絶縁部品を使い、1次側のパワーMOSFETがオン（導通）しているときに トランスの2次側に出力が伝達される電圧変換回路。トランスから見て入力側を1次側、出力側を2次側と呼ぶ。 1次側に2個のスイッチング素子を使って交互にオン/オフさせるプッシュプル方式などがある。

【FPGA(field programmable gate array)】
エフ・ピー・ジー・エー
プリント基板に実装後も論理回路（プログラム）を書き込めるゲート・アレー。

【free wheel diode】
フリーホイール・ダイオード
コイルに生じる起電力を放出するために入れるダイオード。 回路動作がはずみ車に似ていることからこう呼ばれる。還流ダイオードまたはバイパス・ ダイオードと呼ばれることもある。

【gate charge】
ゲート電荷
MOSFETの入力容量を充電するための電荷量。Qgで表す。スイッチング特性（速度や損失）を示すパラメータ。

【half-bridge circuit】
ハーフブリッジ回路
ハーフブリッジ回路は、2つのスイッチング素子（例えばMOSFET）を直列に接続して構成します。ハーフブリッジ回路を2個のMOSFETで構成した場合、上側のMOSFETをハイサイドMOSFET、下側のMOSFETをローサイドMOSFETと呼びます。

【high-side, low-side】
ハイサイド、ローサイド
大電力スイッチング回路の出力に同極性のパワーMOSFET（通常はｎチャネル）を直列に 接続して（トーテムポール出力）ハーフブリッジ回路を構成した場合、上側のMOSFETを ハイサイドMOSFET、下側のMOSFETをローサイドMOSFETと呼ぶ。 ハイサイドはソースフォロワ、ローサイドはソース接地で動作する。 ハイサイドMOSFETとローサイドMOSFETを同時にオフする期間のことをデッドタイムと呼ぶ。

【HVAC（heating and ventilating air conditioning）】
エイチ・ブイ・エー・シー
自動車内の環境の制御システム。暖房（heating）、換気（ventilating）、エアコン（air conditioning）の 略称。

【ID（Continuous Drain Current）】
アイ・ディー
ドレイン電流。MOSFETに連続して流せる直流電流の最大値。

【IGBT(insulated gate bipolar transistor)】
アイ・ジー・ビー・ティー
絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ。バイポーラ・トランジスタとパワーMOSFETを 複合化した構造の半導体素子。

【ISO 14001】
アイ・エス・オー１万4001
ISO(International Organization for Standardization)は 国際標準化機構。ISO14000シリーズは環境保全管理に関する規格群。ISO14001規格は、 その１つでエネルギーの使用や環境への影響、自然資源の枯渇を減らすための対策を行う 環境マネジメント・システム（EMS）の構築について規定した規格。

【isolated DC-DC converter】
ぜつえんがたディーシー・ディーシー・コンバータ
入力と出力が絶縁されたDC-DCコンバータ。絶縁にはトランスなどの絶縁部品を使う。 このとき、トランスから見て入力側を１次側、出力側を２次側と呼ぶ。

【LDO(low drop-out)】
エル・ディー・オー
低ドロップアウト。レギュレータの入力電圧と出力電圧の差の最小値をドロップアウトと呼ぶ。 この値の低いものをLDOレギュレータと言う。リニア・レギュレータの一種。 トランジスタをスイッチングさせずに使うため、スイッチング・レギュレータに比べて低雑音。

【MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)】
モス・エフ・イー・ティーまたはモス・フェット
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ。ドレイン、ゲート、ソースの３端子構成で、ドレインからソースへ流れる電流をゲートに加える電圧で制御する。

【MTBF(mean time between failure)】
エム・ティー・ビー・エフ
平均故障間隔。

【multi-phase】
マルチフェーズ方式
複数の電源回路を並列に動作させ、その出力位相をずらして加算 してからマイクロプロセッサ（MPU）に電力を供給する方法。抵抗などによる損失を低減 でき、各電源回路の負荷も軽減できる。MPUの低電圧化が進み電源電圧が１V程度まで下 がってきた。必要な電力（電圧×電流）を確保するためには、50A以上という大きな電流 が必要になり、電流経路の抵抗分による電圧降下が問題になる。これを改善するための１ つの方法がマルチフェーズ方式。

【on-resistance】
オン抵抗
ドレイン-ソース間の電流経路に存在する抵抗成分。導通損失（電力損失）となる。

【PCI（Peripheral Component Interconnect）】
ピー・シー・アイ
パソコンなどの入出力バス。

【PFC(power factor correction)】
ピー・エフ・シー
力率改善。力率は、供給された電力のうち有効に働いた電力の比率（％）。電力は電圧と 電流の掛け算で求められるが、交流の場合、電圧と電流の間に位相差（時間的なずれ）が あり、これによって有効な電力が減る。これを改善する回路がPFC回路。

【profoma】
プロフォーマ
決算発表で使う用語。リストラ（事業の再構築）などで発生した特別損失など一時的な要因を除いた実質ベースの数値。

【PWM(pulse width modulation)】
ピー・ダブリュ・エム
パルス幅変調。パルスの幅を変えて情報を伝送する変調方式。入力電圧の大きさに比例し た幅のパルスを送信し、受信側ではそのパルス幅に応じた電圧を再生することで情報を伝送できる。

【recovery diode】
リカバリ・ダイオード
IGBTと並列に逆向きに入れたダイオード。ダイオードが順方向動作時（IGBTがオフ）に蓄積 した電荷が、逆電圧（IGBTがオン）が印加されたときに短い時間逆方向に流れる。これを逆回 復電流と呼ぶ。逆回復電流の電流変化分(di/dt)が小さいものをソフト・リカバリと呼ぶ。

【RosettaNet】
ロゼッタネット
エレクトロニクス業界のB2B(企業間)電子商取引の技術仕様を策定・推進するための標準化団体 の名称です。この標準化団体が策定した技術仕様をロゼッタネット標準と呼んでいます。 日本では、ロゼッタネット ジャパン（ホームページはwww.rosettanet.gr.jp）が2000年４月に 設立されており、電子機器、半導体・電子部品、半導体製造などの業界を中心に100社以上の企 業が参加しています。

【SEE（single event effect）】
エス・イー・イー
高エネルギーの重粒子によって起こる半導体の現象。SEEは、宇宙に存在する陽子線や重粒子線 などの高エネルギー粒子の放射線によって起こる現象で、１粒の高エネルギー粒子による単発現 象のことです。１粒の粒子が半導体デバイスの逆バイアス接合に入射したときの１回だけパルス 状の電流が発生し、ラッチアップなどの現象が起こります。これに対しトータルドーズ効果(TID) は徐々に劣化します。

【schottky diode】
ショットキ・ダイオード
半導体と金属を接合したダイオード。通常は半導体と半導体。

【snubber　circuit】
スナバ回路
スイッチ回路において、切り替わりの過渡状態で発生するスパイク電圧を防止する回路。最も簡単な 回路は、コンデンサと抵抗を直列に接続したものをスイッチの両端に接続したもの。

【SPDT（single pole double transfer）】
エス・ピー・ディー・ティー
単極双投。入力の電極が１つで出力の電極が２つあり、切り替えられるスイッチ。

【TID（total ionising dose）】
ティー・アイ・ディー
衛星など宇宙で使われる半導体部品は、主にシリコン半導体が使われています。シリコン半導体は 放射線によって劣化します。 放射線による劣化は、総照射線量(total ionising dose)によって決 まります。これをトータルドーズ効果と呼んでいます。

【trench】
トレンチ
溝という意味。トレンチ技術は、半導体製造技術の一種でシリコン基板上にトレンチ（溝）を 掘って所望の特性を改善する技術。IR社では、オン抵抗を低減するために使っていることが多い。 これに対し、平坦なシリコン基板の表面下に素子を形成する技術をプレーナ技術と呼ぶ。 一般的な論理ICはプレーナ技術を使っている

【USB（universal serial bus）】
ユー・エス・ビー
マウスやキーボードなどパソコン周辺機器を接続するためのシリアル・インターフェース。

【UVLO（under-voltage lockout）】
ユー・ブイ・エル・オー
所定の電圧以下になると動作を停止する機能。

【VDS（Drain-to-Source Voltage）】
ブイ・ディー・エス
ドレイン-ソース間電圧。MOSFETに加えられる電圧の最大値。 パワーMOSFETに内蔵した逆方向ダイオードの耐圧でもある。

【VRM（Voltage Regulator Module）】
ブイ・アール・エム
マイクロプロセッサ向けの電源回路モジュールの仕様。

【wire harness）】
ワイヤ・ハーネス
自動車の制御部と駆動部をつなぐ配線の電線の束のこと。作動に必要な電力や信号を供給する。

【ZVS（zero-volt switching）】
ゼット・ブイ・エス
ゼロ電圧スイッチング方式。ダイオードがオンしているときにMOSFETがオンする方式で、これ により、ターンオン時の損失が実質的になくなる。