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オーディオ・アンプ用DirectFET
®パワーMOSFET
 IR社は、D級デジタル・オーディオ・アンプ向けのDirectFET®
パワーMOSFETの開発を進めています。IR社独自の小型金属パッケージDirectFET®に、
D級デジタル・オーディオ・アンプ向けに最適化した最新のMOSFETを収めたのが特徴です。
DirectFET®を使う利点は、
実装面積の削減、EMI（電磁干渉）雑音の低減、放熱特性の改善、寄生インダクタンスの低減などです。
搭載したMOSFETチップの電気特性はオーディオ用に最適化されています。
例えば、この用途で重要なパラメータであるゲート抵抗の最大値を保証することでデッドタイムを制御しやすくなります。
これは、オーディオ特性のTHD（全高調波歪率）に影響するパラメータです。
IR社のD級オーディオ・アンプ用ゲート駆動ICと組み合わせれば、この優れた特性を十分に引き出せます。
D級デジタル・オーディオ・アンプ向けに最適化したDirectFET®パワーMOSFETを使えば
ヒートシンクなしで、4Ωの負荷抵抗に120Wを出力できます。
IR社のオーディオ用チップ・セットは、出力50W以上のD級オーディオ・アンプの用途、
例えば、AVアンプ、ホーム・シアター・システム、カー・オーディオ、
業務用オーディオ、電子楽器などに最適なソリューションを提供します。
DirectFET®パッケージ技術
DirectFETパワーMOSFETは、
金属缶パッケージにMOSFETチップを貼り付けた構造になっています。
このため、放熱特性が優れています。ボンディング・ワイヤを使わないため、大電流を扱え、しかも寄生インダクタンスが減少します。
高さが0.7mmと低く、実装面積が小さいので、小型化に向いています。
オーディオ・アンプ用DirectFETの仕様
| 型番 |
BVDSS |
RDS(on)
標準値 @
10V |
ID
@ Tc=25℃ |
QG
標準値 |
QSW
標準値 |
パッケージ |
| IRF6665 |
100V |
53mΩ |
19A |
8.4nC |
3.4nC |
DirectFET SH
(小型缶)
|
| IRF6645 |
100V |
28mΩ |
25A |
14nC |
5.6nC |
DirectFET SJ
(小型缶)
|
| IRF6775M |
150V |
47mΩ |
28A |
25nC |
8.0nC |
DirectFET MZ
(中型缶)
|
| IRF6785M |
200V |
85mΩ |
19A |
26nC |
8.2nC |
DirectFET MZ
(中型缶)
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